亲们，很多人可能对mos管三个工作状态_mos管工作原理不是很了解，所以今天我来和大家分享一些关于mos管三个工作状态_mos管工作原理的知识，希望能够帮助大家更好地了解这个话题。
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mos管工作原理是什么？
mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上 当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。
以N型MOS管四端器件为例：NMOS管四端分别是D、G、S、B，即漏(Drain)、栅(Gate)、源(Source)以及体(Body)端。MOS管是电压控制电流器件（区别于Bipolar的电流控制电流器件特性）。当栅源电压差为0时，漏源之间不会形成电流前段（工作在截止区）。
结构特点：
MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET， 提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
MOS管的工作原理
目前主板或显卡上使用的MOS管并不太多，一般有10个左右。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。 MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大，然后在输出端输出大的电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)。另一种晶体管叫FET，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。它们是电流控制装置和电压控制装置。FET的增益等于其跨导)gm，跨导定义为输出电流的变化与输入电压的变化之比。FET的名字也来源于它的输入栅极(称为gate)，它通过在绝缘层(氧化物SIO2)上投射电场来影响流经晶体管的电流。实际上没有电流流过这个绝缘体(只是电容的作用)，所以FET的栅极电流很小(电容的电流损耗)。最常见的FET在栅电极下使用一薄层二氧化硅作为绝缘体。这种晶体管被称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。如果您对本文的内容感到满意，请在文章结尾处点击“顶一下”以表示您的肯定。如果您对本文不满意，也请点击“踩一下”，以便我们改进该篇文章。如果您想更深入地了解相关内容，可以查看文章下方的相关链接。